主要开展第三代半导体（GaN、AlN）单晶的生长、加工及缺陷研究，生长出高质量晶体，为我国高性能半导体器件的自主研发提供强力支撑，有助于突破国外封锁，解决我国半导体的“缺料、缺芯”问题。
发布时间：2021-12-06浏览次数：4
主要开展第三代半导体（GaN、AlN）单晶的生长、加工及缺陷研究，生长出高质量晶体，为我国高性能半导体器件的自主研发提供强力支撑，有助于突破国外封锁，解决我国半导体的“缺料、缺芯”问题。